科技创新,与时俱进!

Hotline

0755-29186329

芯片的背部减薄制程

芯片的背部减薄制程
磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片,外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后,还需要切割成一粒粒的芯片,根据芯片的大小,一片2英寸的外延片可以切割成为数千至上万个CHIP。由于蓝宝石的硬度以及脆性,普通切割
工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近,然后再使用激光进行切割。
1. Grinding制程:
对外延片以Lapping的方式虽然加工质量较好,但是移除率太低,最高也只能达到3um/min左右,如果全程使用Lapping的话,仅此加工就需耗时约2h,时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程,通过钻石砂轮与诚薄机的配合来达到快速诚薄的目的。
2. Lapping制程
减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘既能达到较高的移.除率,又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除,因此此时对钻石液的要求也比较高。